第四十七章 新的目标 (第1/2页)
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之后的几天,许秋又做了两批器件,一批是重复pen基片的,另一批是在同样实验条件下玻璃基片的。
ptb7-th体系中,pen基片的最高效率提高了一点点,达到了820。
而玻璃基片下的标准样品,最高效率可达1026。
这个数值,相比于他之前在模拟实验室中得到的1068,稍差一些,可能是器件结构不同造成的。
pen基片不能高温热退火,所以用的是pedot:pss传输层的正常结构,而之前使用的是氧化锌传输层的倒置结构。
此外,虽然重点在于ptb7-th体系,但是许秋也做了p3ht体系。
主要是为了让文章数据更加丰满一些,同时也说明这种柔性衬底的加工方式具有普适性。
再之后,许秋完成了各种表征测试,包括光吸收光谱、荧光光谱、celiv测试等,还拍了一张用两只镊子弯曲pen基片器件的照片。
在实验进行的间隙,许秋也在同步以论文的形式,写项目的结题报告。
这个时候,他前期阅读了大量的文献的优势就体现出来了,再加上他还可以随时向学姐请教。
因此中文论文写起来压力并不大。
正文部分,许秋先将四组器件编号,pen基片的ptb7-th、p3ht体系,分别为1、3,玻璃基片对应的体系分别为2、4。
然后,主要就是比较玻璃和pen这两种基片的不同,对器件性能的影响,并分析其可能的原因。
像是光学性能,光吸收光谱和荧光光谱都是直接测有效层薄膜的,数据对两种基片的器件都是一样的。
所以不需要比较,直接将得到的图片信息转化为文字就可以了。
比如:1、2有效层共混薄膜的主要光吸收范围在550-750纳米,最高吸收峰位置在680纳米处,3、4的主要光吸收范围在300-600纳米,最高吸收峰位置在530纳米处。
荧光光谱则相对复杂一些,两种体系都需要分别测试给体、受体单独组分薄膜和共混薄膜的荧光光谱,然后计算荧光淬灭效率。
不过,同样是看图说话,也没什么难度。
而像是celiv,则是对电池器件进行表征,那么不同样品编号的器件测试的结果就会有所不同,就需要进行比较分析。
许秋的测试结果:
1的载流子迁移率是12e-4厘米平方每伏秒,2是25e-4厘米平方每伏秒,显然2更高一些,但两者在同一数量级。
因为2对应的电池器件性能更好,就可以解释为,载流子迁移率的提高导致了器件性能的提高。
进一步,还可以继续分析下去,比如迁移率的提高会减小电荷复合情况,增大短路电流密度等等。
但如果反过来,假如他的测试结果为:
2是12e-4厘米平方每伏秒,1是25e-4厘米平方每伏秒。
那么就可以一笔带过,说两者载流子迁移率相差不大,在同一个数量级,或者说载流子迁移率对器件光电性能的影响不大。
许秋最开始阅读文献的时候,就时常疑惑,对于同样的一个实验现象,为什么有的人说是xx原因,有的人说是yy原因,还有人说是xxyy原因,难道学术界里就没有一种统一的观点吗?
后来,随着文献阅读量的提升,他逐渐明白了其中的道理。
材料,或者说所有的实验学科,所有对实验结果的解释其实都是猜想,理论永远是落后于实验的。
不可能凭空创造一个完美的理论模型,如果那样的话,直接开几台超算,算出最优结果就行了。
真实情况是,研究者们需要通过不断的实验,得到大量的实验数据,然后通过这些实验数据,来建立起一套理论体系。
但即使这样建立的体系,可能还是存在很多问题,需要不断的给理论打补丁。
同时,其中还会有很多现象难以解释,这个时候,行业大佬们就会提出很多种观点。
而其他研究者们在发表论文时,也会对这些现象进行讨论,提出自己的观点。
这个过程就类似于辩论。
最终,学术界可能只剩下一种统一的观点,也可能会有多种观点并存,抑或者在将来又有新理论将之前的理论完全推翻。
…………
一周过去,许秋完成了项目结题报告。
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